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Mémoires compatibles pour équipements Apple
 
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Toutes les mémoires ne sont pas identiques, notre expérience et notre savoir faire vous garantissent le bon choix, des modules mémoires testés et conformes aux spécificités Apple . Depuis 1986, SQP est le partenaire des bons revendeurs Apple
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ordinateurs Apple
  Mémoires SQP
    capa. réf Prix* / rajout caddie
MacBook Pro (Spring 2010)
MacBook Pro (Spring & automne 2011)
DDR3
1333 Mhz
4Go
 
8Go
 

MacBook Pro 13" 2,3 GHz (MC700LL/A) - MacBook Pro 13" 2,7 GHz(MC724LL/A) , i 2.4Ghz(MD313F), i7 2.8Ghz (MD314F)
MacBook Pro15" 2 GHz - (MC721LL/A) MacBook Pro 15"2,2 GHz- (MC723LL/A), i7 2.2Ghz(MD318F), i7 2.4Ghz(MD322F)
MacBook Pro 17" 2,2 GHz (MC725LL/A) , i7 2.4Ghz( MD311F), i7 2.5Ghz (BTO/CTO)
MacBook (White Unibody - Spring 2010)
MacBook
(White Unibody -Spring 2010)
DDR3
1066 Mhz
2Go

S/AP-MB31S2G
 
4Go
 

model : 13-inch 2.4 GHz Intel Core 2 Duo
MacBook Pro (Spring 2010)
MacBook Pro (Spring 2010)
DDR3
1066 Mhz
2Go
 
4Go
 

model : 17-inch, 15-inch, 13-inch, 2.4GHz - 2.66GHz Intel Core 2 Duo, 2.4GHz - 2.53GHz Intel Core i5 , 2.66GHz Intel Core i7

iMac 2010 & 2011
DDR3
1333 Mhz
2Go
 S/AP-IM313S2G
 
4Go
 S/AP-IM313S4G
 

model :27-inch, 21,5-inch, 3.06 - 3.20GHz Intel Core i3, 3.60Ghz Intel Core i5, 2.8GHz Quad-Core Intel Core i5
model : 2.93GHz Quad-Core Intel Core i7

Mémoire maxi : 8GB (2x4GB)
Mac 21.5? Intel Core i5 quadricoeur 2.5GHz (MC309F/A)
iMac 21.5? Intel Core i5 quadricoeur 2.7GHz (MC812F/A)

 Mémoire maxi : 16GB (4x4GB)  
iMac 27? Intel Core i5 quadricoeur 2.7GHz/ (MC813F/A)
iMac 27? Intel Core i5 quadricoeur 3.1GHz/ (MC814F/A)   
Mac Pro (Summer 2010)
DDR3
ECC
1 333 MHz
2Go
 
4Go
 
8Go
 
16Go
 
model : One 2.80GHz Quad-Core Intel Xeon, One 3.20GHz Quad-Core Intel Xeon, One 3.33GHz 6-Core Intel Xeon
model : Two 2.40GHz Quad-Core Intel Xeon, Two 2.66GHz 6-Core Intel Xeon, Two 2.93GHz 6-Core Intel Xeon
Mac Mini Mi 2011
DDR3
1333 Mhz
4Go
 
8Go
 
MacMini Core i5 (2.3/2.5Ghz), i7 (2.7/2.0 Ghz) - mi 2011
Mac mini
DDR3
1066 Mhz
2Go
 
4Go
 
model : 2.4GHz - 2.66GHz Intel Core 2 Duo
Xserve (Early 2009)
DDR3 ECC
1 066 MHz
3Go(3x1Go)
 

6Go(3x2Go)


 

12Go (3x4Go)


 
model : Quad-Core Intel Xeon 5500

Mémoires compatibles I anciens équipements Apple
 
gamme
capa. réf Prix*


MacBook Pro (Spring 2010)
MacBook 13" 2009
MacBook Pro 15 2009
MacBook Pro 17 " (01.09)
anciens iMac (early 2009)
DDR3
1066 Mhz
2Go
 
4Go
 

MacBook Pro Core 2 Duo, Core Duo
DDR2
667 Mhz
512GB
 
1Go
 
2Go
 
4Go
 
MacBook 1.83Ghz (MA254F/A)
MacBook 2 Ghz (MA255F/A & MA472F/A)
*MacBook Core2Duo 2 & 2.2 Ghz
DDR2
667 Mhz
1Go(2x512Mo)
 
2Go(2x1Go)
 
4Go(2x2Go)*
 




Mac Pro Quad-Core (MB871*/A) & 8-Core (MB535*/A)
DDR3
1066 MHz
ECC
2Go
 
4Go
 
8Go
 
 
Mac Pro 8-core 2éme génération
- notice d'installation des mémoires
FBD DDR2
800 MHz
2Go (2x1GB)
 
4Go(2x2GB)


 
8Go(2x4GB)


 
Mac Pro 1ere génération
FBD DDR2
667 MHz
2Go (2x1GB)
 
4Go(2x2GB)
 
8Go(2x4GB)
 
 
iMac Core2Duo 20 & 24" , 2.4 / 2.66 / 2.8 / 3.06 Ghz
DDR2
800 Mhz
1Go
 
2Go
 

iMac Core2Duo 17/20 & 24"
info : mémoire maxi
4 Gb new iMac Alu
3Gb iMacCore2Duo 20 & 24",
2 Gb iMacCore Duo autre
DDR2
667 Mhz
1Go
 
2Go
 
MacMini CoreDuo 1.66/1.83Ghz 2006
DDR2
667 Mhz
512GB
 
   
1Go
 
Xserve Xeon 8-Core 2eme génération
DDR2 ECC
800 Mhz
2 Go (2 x1Go)
 
4 Go (2 x2Go)
 
8 Go (2 x4Go)
 
Xserve Xeon 1ere génération DDR2 ECC
667 Mhz
1Go (2x512Mo)
 
2 Go(2 x1 Go)
 
4 Go(2 x2Go)
 
8Go(2 x4Go)
 

Mémoires compatibles I anciens équipements Apple partie 2
 
Emac
128 Mo
gar.à vie
256 Mo
gar.à vie
512 Mo
gar.à vie
Emac 1.25 Ghz    
256 Mo
gar.à vie
512 Mo
gar.à vie
iMac G5
nouveaux en DDR2 - 1 barette
512 MB
gar.à vie
1 Gb
""
2 Gb
""
 
iMac G5 (1ere generation)
mod. 17 " et 20 " 1.6 ou 1.8 Ghz 
1 barette
512 Mo
gar. à vie
1 Gb
""
Imac 1ère Génération  
128 Mo
  
256 Mo
  
Imac G4 LCD (700 et 800 MHz)
slot sodimm* libre
128 Mo
  
256 Mo
  
512 Mo
  
* pour le slot dimm sdram prendre ref. du EMAC
 
Imac LCD G4 15" 1GHz (M9285)
IMAC LCD G4 17" 1.25 GHz (M9168)
IMAC LCD G4 20" 1.25 GHz (M9290)
256 Mo
gar. à vie
512 Mo
""
ou sur slot dimm (slot occupé au départ)
 
256 Mo
  
512 Mo
  
Imac G4 LCD
1 GHz 17" (M8935) (slot sodimm libre)
256 Mo slot sodimm
  
512 Mo slot sodimm
  
ou sur slot dimm (slot occupé au départ)
 
256 Mo
  
512 Mo
  

Ibook 300/366/466/500
 
128 Mo
gar.à vie
256 Mo
gar.à vie
512 Mo uniq.iBook 500
gar.à vie
Ibook G3 600/700/800/900 
128 Mo
gar.à vie
256 Mo
gar.à vie
512 Mo
gar.à vie
Mac Mini
256 Mo
gar.à vie
512 Mo
gar.à vie
1024 M o
gar.à vie
Powerbook G4 17" (1& 1.25Ghz + 1.5 GHz)
Powerbook G4 15" (1& 1.25Ghz + 1.5 GHz)
Powerbook G4 12" (1.33GHz & 1.5 GHz - M9691)
512 Mo
""
1 Go sauf iMacLCD
"

PowerBook G4 15&17" HD  
256 Mo
    
 
512 Mo
gar.à vie
1024 M o
gar.à vie
PowerBook G4 Titatium 400/500  
128 Mo
 
 
256 Mo
  
512 Mo
  
 
Powerbook G4 12" (1 Ghz)
iBook G4 
256 Mo
    
 
512 Mo
  
1 Gb
  


PowerMac G5 Dual Core
mod. 2 / 2.3/ 2.5 Ghz
kit de 2 modules 
1 GB
gar.à vie
 
 
2 Gb
""
4 Gb
""
1 GB ECC
gar.à vie
 
 
2 Gb ECC
""
4 Gb ECC
""
PowerMac G5
mod. Dual 1,8, 2, 2.3 et 2.5 GHz 
(* kits mémoires composés de 2 barettes)
1 Gb*
""
2 Gb*
""
PowerMac G5 mod 1,6 Ghz 
(* kits mémoires composés de 2 barettes)
512 Mo*
gar. à vie
1 Gb*
""
2 Gb*
""
PowerMac G4 dual  Mod. 867 MHz (M8787LL/A) + 1GHz (M8839LL/A)
256 Mo
gar. à vie
512 Mo
""
PowerMac G4
Mod. 1 GHz (M8669LL/A) & 1,25 GHz & 1,42 GHz
256 Mo
gar. à vie
512 Mo
""
PowerMac G4 mod. 3 slots RAM 
version 466/533/667/733 MHz et bi-pro  - PC133
128 Mo
gar. à vie
256 Mo
""
512 Mo
""
Powermac G4: 1ère Génération PC100 ( exemple G4 350 / 400 / 500..) 
256 Mo
512 Mo
Xserve
(1ère génération) 
128 Mo
  
256 Mo
  
512 Mo
  
Xserve 1,33 GHz (M8888 et M8889) 
 
256 Mo
  
512 Mo
  
Xserve G5  
 
Kit 512 Mo
  
Kit 1 Go
  
Pour les Kits 2 Gb, 4 Gb et 8 Gb
 Nous consulter ou le site
 

 




Zoom Technique


DDR / DDR2

 

 dimensions Dimm/SO-Dimm


FBD


Dual Channel      
DDRAM DDR, DDR 2 ?
DDR SDRAM ou Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory est un type de mémoire à circuit intégré utilisé dans les ordinateurs depuis 2003 et communément abrégée sous le sigle DDR. La DDR fournit une meilleure bande passante que l'ordinaire SDRAM en transférant les données à la fois sur le front montant et sur le front descendant des impulsions d'horloge, ce qui a pour effet de doubler la vitesse d'accès à la mémoire, en lecture et en écriture. Cette particularité lui donne son nom : "Double Data Rate" signifie "débit mémoire double" (par rapport à la la SDR SDRAM).DDR SDRAM
Ainsi, une carte mère dotée de mémoire DDR-SDRAM et ayant un bus mémoire cadencé à 133 MHz est équivalente en débit de donnés à de la SDRAM à 266 MHz.

Les fabricants de mémoire ont eu des difficultés à produire en masse de la DDR à plus de 400 MHz. Ainsi, depuis 2005, elle est progressivement remplacée par la DDR-2, qui fonctionne selon le même principe que la DDR, mais plus simple à produire, et permettant des fréquences d'horloge plus élevées.
RDRAM est une alternative à la DDR SDRAM, mais de nombreux fabricants ne l'utilisent plus.

La DDR2 SDRAM ou DDR2 (de l'anglais Double Data Rate two Synchronous Dynamic Random Access Memory) est la seconde génération de mémoire vive de type DDR pour les ordinateurs personnels, la première étant la technologie DDR. Ce type de mémoire informatique utilise des circuits intégrés.

Contrairement à la SDR-SDRAM, la DDR-SDRAM et la DDR2-SDRAM effectuent les transferts sur le front montant et le front descendant des impulsions d'horloge (une technique appelée "dual pumping" en anglais). Le taux de transfert est doublé, il est équivalent à 200 MHz (et une bande passante théorique de 1,6 Go/s) tout en utilisant la même fréquence d'horloge.
La différence majeure entre la DDR et la DDR2 est que la fréquence du bus est maintenant égale au double de celle du groupe de cellules mémoires. Quatre mots de données peuvent ainsi être transférés par cycle des cellules mémoires. À fréquence des cellules mémoires égale, la DDR2 a un débit deux fois plus élevé que celui de la DDR.
La fréquence d'horloge de la mémoire DDR2 est également généralement plus grande grâce à des améliorations techniques au niveau de l'interface électrique, avec des raccordements intégrés, une mémoire tampon de prélecture, ainsi que des circuits de sortie externes à la puce. Cependant, la DDR2 a des temps de latence plus élevés. L'accès aux puces, qui est décomposé en n étapes, est plus long. En ce qui concerne la mémoire tampon de prélecture, sa largeur de bus est passée de 2 bits (pour la DDR) à 4 bits. Elle passera à 8 bits pour la DDR3. En d'autres termes, cette mémoire convient plutôt aux transferts de grandes quantités de données, car la grande vitesse de transfert sur une "longue" période minimise alors le mauvais temps de latence initial.
Dénomination Type de mémoire Fréquence réelle Bande passante
PC2100 DDR-266 133 MHz 2,133 Go/s
PC2700 DDR-333 166 MHz 2,667 Go/s
PC3200 DDR-400 ou DDR2-400 200 MHz 3,2 Go/s
PC4200 DDR-533 ou DDR2-533 66 MHz 4,2 Go/s
PC5300 DDR2-667 333 MHz 5,33 Go/s
PC6400 DDR2-800 400 MHz 6,400 Go/s

Important :
Les modules de mémoire (ou DIMM) DDR2 ne sont pas rétrocompatibles avec les DIMM DDR. C'est-à-dire qu'un DIMM DDR2 ne peut être utilisé sur une carte mère demandant des DIMM DDR et vice-versa. Le module de DDR2 ne peut pas être inséré dans le slot mémoire DDR. Ceci est dû au fait que l'encoche centrale est placée à une position légèrement différente. De plus, les connexions sont plus nombreuses sur un DIMM DDR2 que sur un DIMM DDR, donc la densité de broches est plus élevée.
Le fait d'insérer un module DIMM DDR2 dans une connecteur femelle conçue pour un DIMM DDR, ou l'inverse, soit en forçant, soit en modifiant légèrement l'encoche centrale du module, conduit irrémédiablement à la destruction et du module et de la carte mère. Il est important de comprendre que puisque les modules DDR2 et DDR fonctionnent à un voltage différent (2,5 V au lieu de 1,8 V), insérer le mauvais module dans la fente de mémoire endommagera le module et/ou la carte mère

Différenciation physique des différents types de mémoires
Les DIMMs de DDR SDRAM ont 184 broches (alors que la SDRAM n'en compte que 168), et peuvent être différenciées des DIMMs de SDRAM par le nombre de crochets (DDR SDRAM en a un au centre, SDRAM en a deux excentrés). DDR fonctionne à un voltage de 2,5 V, comparé au 3,3 V pour la SDRAM. Ceci peut réduire significativement la consommation électrique.
La DDR2 possède 240 connecteurs, des puces au format BGA présentant des meilleurs caractéristiques que celles au format TSOP (sur le plan thermique comme électrique).

Les SO-DIMM sont une alternative de taille plus compacte que les DIMM, car ils sont environ deux foix moins longs. En tant que tel, les SO-DIMM sont principalement utilisés dans les ordinateurs portables, les petits PC (comme ceux équipés d'une carte mère au format Micro-ATX), les imprimantes de bureau haut de gamme et des équipements pour réseaux comme des routeurs.

Les SO-DIMM possèdent 100, 144, ou 200 broches (pins en anglais). Ceux avec 100 broches supportent le transfert de données en 32 bits, alors que ceux avec 144 et 200 broches fonctionnent en 64 bits. Ceci est à comparer avec les modules DIMM classiques qui possèdent 168, 184, or 240 broches, mais fonctionnant tous en mode 64 bits.
Les différents types de SO-DIMM sont facilement identifiables par les encoches qui se trouvent au niveau de la rangée de broches : les modules à 100 broches possèdent deux encoches, ceux à 144 broches en ont une seule située presqu'au milieu, et ceux à 200 en ont aussi une seule, mais plus éloignée du centre que la précédente.
Cependant, pour ces derniers SO-DIMM à 200 broches, on trouve deux emplacements quasi-indifférenciables de l'encoche : si elle est placée plus vers l'extérieur, il s'agit d'un module de mémoire DDR ; si l'encoche est plus vers le centre, il s'agit de mémoire DDR2. Ces deux types de mémoire ne sont pas interchangeables, ce pour quoi la position de l'encoche est légèrement différente.
Fully Buffered Dimm :
Fully Buffered DIMM (ou FB-DIMM) est un type de barrette de mémoire qui peut être utilisé pour augmenter la fiabilité, la performance et la densité des systèmes mémoire. Précédemment à cette technologie, les modules DRAM possédaient des lignes de données provenant du contrôleur de mémoire qui étaient directement connectées aux lignes de données. À mesure que la largeur de bus de mémoire et la vitesse d'accès augmentent, la qualité du signal se dégrade à l'interface du bus et du dispositif. Cet inconvénient limite la vitesse et/ou la densité de la mémoire. Les FB-DIMM résolvent ce problème en utilisant une approche différente. Comme avec toutes les spécifications de mémoire vive, la spécification pour la FB-DIMM a été publié par JEDEC.

L'architecture des FB-DIMM introduit un nouvel intermédiaire entre le contrôleur de mémoire et la barrette de mémoire: le Advanced Memory Buffer (AMB). Contrairement aux technologies DRAM précédantes, les FB-DIMM n'utilisent pas une architecture de bus parallèle mais plutôt une interface à accès séquentiel entre le contrôleur de mémoire et le AMB. Ce qui permet d'accroître la bande passante sans augmenter le nombre de broches du contrôleur de mémoire au-delà d'un niveau réalisable. Cette architecture permet au contrôleur de mémoire de ne plus accéder à la barrette de mémoire directement, mais plutôt, l'accès est effectué via l'AMB. L'AMB peut donc compenser la détérioration de la qualité du signal en offrant une mémoire tampon pouvant ainsi renvoyer le signal au besoin. De plus, l'AMB peut également effecturer une correction d'erreur sans augmenter le temps système du micro-processeur ou du contrôleur de mémoire. Il peut également utiliser la fonctionnalité Bit Lane Failover Correction permettant d'identifier des chemins de données défectueux, ce qui réduit grandement les erreurs d'adresse ou de commande. De plus, puisque les accès en écriture et en lecture sont mis en mémoire tampon, ils peuvent être effectués en parallèle par le contrôleur de mémoire. Ce qui permet des interconnexions simplifiées, une augmentation de la bande passante de la mémoire, et (en théorie), des puces de contrôleur de mémoire interchangeables d'une version de mémoire à une autre (notamment DDR2 et DDR3). L'inconvénient principale de cette approche est que de la latence est ajoutée aux différentes requêtes de mémoire. Cependant, l'approche devrait permettre des performances de la mémoire améliorée dans le futur, ce qui écarterait cette contrainte.

module FBD


module FBD special pour Apple Mac PRO
Dual Channel ?
Certains contrôleurs mémoire proposent un double canal (en anglais Dual Channel) pour la mémoire. Il s'agit d'exploiter les modules de mémoire par paire afin de cumuler la bande passante et ainsi exploiter au maximum les capacités du système. Il est essentiel, lors de l'utilisation du Dual Channel, d'utiliser des barrettes identiques par paire (fréquence, capacité et préférentiellement de même marque).

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Les marques citées sont déposées par leurs propriétaires respectifs .

 






 
 
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